Оперативка DDR5 ще не в повному обсязі не з’явилася на масовому ринку, а південнокорейська SK Hynix вже оголосила про початок роботи над оперативною пам’яттю наступного покоління. За попередніми розрахунками, модулі DDR6 зможуть забезпечити пересилання даних до 12 Гбіт/сек.
SK Hynix попередили, що розробка займе близько п’яти-шести років, тому раніше 2025 року на DDR6 можна не чекати. Відповідно до інсайдерської інформації, розробники будуть працювати не тільки над нарощуванням пропускної здатності, а також над інтеграцією DRAM з однокристальними системами.
Наприкінці осені компанія презентувала 16-гігабітні планки пам’яті DDR5, які почнуть вироблятися наступного року. Проблема з нестачею оперативної пам’ятті вирішується в більшості випадків установленням додаткових модулів, а деякі материнські плати можуть працювати з об’єктами в 128 ГБ і вище.
