Щільність зберігання даних у флеш-пам’яті безпосередньо пов’язана з її ресурсом. Чим менша щільність, тим довговічніша пам’ять. Samsung щойно представила рекордно щільну пам’ять і тому її ресурс залишається невідомим. Зате можна очікувати дешевших твердотільних накопичувачів SSD великої ємності.
Samsung готується представити низку нових продуктів на майбутній Міжнародній конференції твердотільних схем (ISSCC). Одним із них буде новаторський 280-шаровий чип флеш-пам’яті QLC V9 NAND, який прокладе шлях до більш доступних та ємнісних твердотільних накопичувачів (SSD).
Як і у випадку з усіма іншими продуктами, які Samsung та інші виробники демонструватимуть на конференції, повні деталі новинки невідомі. Але вже відомо, що південнокорейський технологічний гігант представить 280-шарову флеш-пам’ять 3D-NAND 1 Тб 4b/cell із площинною щільністю 28,5 Гбіт/мм2 і швидкістю введення-виведення 3,2 Гбіт/с.
Головний висновок із цього — рекордні 280 шарів і щільність 28,5 Гбіт/мм2. Це означає, що він перевершить поточного лідера галузі, китайську компанію Yangtze Memory Technologies (YMTC), яка пропонує 232-шаровий NAND зі швидкістю 19,8 Гбіт/мм2. Новий продукт Samsung майже на 44% щільніший.
Однак прорив Samsung не позбавлений проблем. Оскільки накопичувачі QLC використовують буфер SLC, заявені високі швидкості будуть доступні лише для перших кількох сотень гігабайтів. Після заповнення цього буфера швидкість передачі значно зменшується. Часто накопичувачі з пам’яттю QLC NAND виявляються повільнішими, ніж уже майже забуті механічні жорсткі диски HDD.
Потенційна ємність нового чипа південнокорейського гіганта невідома. Існують чутки, що він може використовуватися в накопичувачах M.2 на 8 ТБ або навіть більше. Наразі найбільший споживчий накопичувач Samsung має ємність 4 ТБ, тож це було б величезним кроком до нарощування ємності споживчих SSD.
Samsung не єдиний виробник, який демонструє новий продукт NAND. На тому ж заході, пізніше в тій самій сесії, Micron розповість про флеш-пам’ять 1 ТБ щільності 3b/Cell 3D-NAND за технологією рівня 2YY із пропускною здатністю запису 300 Мбіт/с.
