Відома раніше як Toshiba Memory компанія Kioxia опублікувала результати свого технологічного прориву у флеш-пам’яті. Вона створила першу в світі тривимірну напівкруглу комірку флеш-пам’яті. Нова пам’ять називається Twin BiCS FLASH і вміщує 5 біт на одну комірку.
Прорив полягає в тому, що нова пам’ять напівкругла та використовує плаваючий затвор для утримання заряду. Звичайні комірки флеш-пам’яті круглі та мають пастку для заряду. Завдяки нововведенням пам’ять Twin BiCS FLASH дозволяє обійти обмеження щільності розміщення інформації у флеш-пам’яті.
Ідею напівкруглої пам’яті не вигадали у Kioxia. Ця компанія реалізувала тестові зразки на основі патентів тайванської компанії Macronix. Остання також не є автором інновації – технологію підвищення ємності флеш-пам’яті придумали в німецькій компанії Qimonda (раніше Infineon).
Зменшення фізичного розміру комірки за рахунок розділу на дві області та напівкругла форма затвора, що дає утримувати більший заряд дозволяє збільшити число енергетичних рівнів запису до п’яти.
Сьогодні топова за щільністю запису пам’ять QLC зберігає до 4 біт інформації в кожній комірці. Для цього комірка підтримує 16 енергетичних рівнів.
Індустрія флеш-пам’яті дійшла фізичних обмежень нарощування ємності за рахунок збільшення кількості шарів флеш-пам’яті. Сьогодні всі головні розробники на ринку освоїли масове виробництво 64-шарових чіпів 3D NAND та переходять на випуск 96-шарових мікросхем. Однак, наприклад, для виробництва флеш-чіпа на 4 Тбіт без збільшення його площі потрібні 512 шарів. На обробку однієї пластини з 512-шаровою 3D NAND потрібно близько одного року (від 43 до 53 тижнів). У цьому ланцюжку на виготовлення керівної частини чіпа йде близько 5 тижнів і ще 8 разів по 5-6 тижнів на виготовлення 64 шарів. Тобто виробництво 512-шарових кристалів виявляється настільки довгим, що воно вже не буде економічно вигідним.
