Останнім часом електронні технології перебувають у стагнації: переважна кількість новацій є справою далекого майбутнього або простим збільшенням кількості ядер та мегагерців. Але Intel каже, що їй вдалося створити революційну пам’ять для комп’ютерів та гаджетів.
Компанії Intel і Micron, які давно співпрацюють на терені розвитку ефективних накопичувачів, повідомили про завершення розробки нового класу пам’яті 3D XPoint (читається як «крос-пойнт»). Творці заявляють, що це перший серйозний прорив у цій категорії з 1989 року, коли з’явилася NAND-пам’ять. Нова технологія дозволяє зробити накопичувачі до 1000 разів швидшими, до 1000 разів витривалішими і домогтися в 10 разів більш щільного розміщення пам’яті, ніж у наявних аналогів.
Новий тип пам’яті об’єднує в собі кращі досягнення NAND і DRAM – швидкість, незалежність від живлення, а також дешевизну. Компактне розміщення комірок пам’яті з поперечною архітектурою зумовлює невисоку вартість 3D XPoint. Найважливішим є готовність технології для її впровадження буквально сьогодні-завтра – перші зразки з’являться на ринку вже в 2016 році.
Навіщо нарощувати швидкість? Компанії наполягають, що сьогодні обчислювальні потужності процесорів при обробці даних впираються в швидкість завантаження інформації, що призводить до простою обчислювальних блоків. Із зростанням обсягів інформації, яку необхідно зберігати та обробляти, а також розвитком інтернету речей також потрібно більш ефективне рішення. Новинка дозволить значно просунути технологічну індустрію вперед, упевнені в компанії.
За словами Intel, нова пам’ять дозволить уже сьогодні зробити значний ривок в іграх з роздільною здатністю 8К, далеко просунутися в машинному навчанні, а також у медицині.
