Компания Samsung заявила о успешной разработке модуля LPDDR4 DRAM емкостью 8 ГБ, передает Business Wire. Такая память (low power double data rate 4) используется в мобильных устройствах из-за компактного размера и низкого энергопотребления.
Она производится по 20-нанометровому техпроцессу с использованием интерфейса четвертого поколения. Это обеспечивает прирост производительности приблизительно в 50% по сравнению с LPDDR3. Энергопотребление при этом снижается примерно на 40% при рабочем напряжении питания 1,1 В.
Также в новинке реализован интерфейс ввода-вывода LVSTL, который обеспечивает скорость передачи данных для каждого потока 3200 Мб/с. Это в два раза выше, чем в памяти предыдущей версии.
Специалисты ожидают, что массовый выпуск новых чипов начнется уже в начале следующего года. Их будут использовать в мобильных устройствах премиум-сегмента, а также ноутбуках и высокопроизводительных сетевых решениях.
