Компания Google начала развертывание бесплатного обновления программного обеспечения для трех последних моделей умных часов собственной разработки, а именно Pixel Watch 3, Pixel Watch 4 и Pixel Watch 5. Это обновление внедряет новые инструменты для отслеживания состояния здоровья, среди которых ключевое место занимают показатели артериального давления и тренды инсулинорезистентности. Пользователи будут получать соответствующие отчеты один раз в месяц, что позволяет наблюдать за долгосрочными изменениями в состоянии организма на основе собранных устройством данных.

Важно понимать, что эти функции не обеспечивают мгновенных клинических измерений, которые можно сравнить с профессиональным медицинским оборудованием, поэтому устройства стоит рассматривать исключительно как средство мониторинга общих тенденций. Для разработки модели инсулинорезистентности разработчики использовали более 1 триллиона единиц данных, собранных от 5 миллионов пользователей, тогда как алгоритм для артериального давления базируется на анализе миллиардов минут записей сердечного ритма и физической активности, что подтверждает значительный объем использованной для обучения систем информации.

Помимо вышеупомянутых показателей, обновление добавляет функцию отслеживания качества дыхания во время сна, результаты которой пользователи смогут просматривать каждое утро. Эта функция помогает оценивать общую эффективность ночного отдыха и корректировать условия сна для улучшения самочувствия. Анализ вариативности дыхания предоставляет дополнительную информацию о физиологических процессах в ночное время, что дополняет общую картину состояния здоровья, которую формирует программное обеспечение экосистемы Google на основе данных, полученных с датчиков умных часов в течение всей ночи.

Для моделей Pixel Watch 4 и Pixel Watch 5 в ряде европейских стран, в частности во Франции, Германии, Ирландии и Великобритании, становится доступной функция выявления критических состояний во время дыхания. Система способна фиксировать опасное снижение уровня насыщения крови кислородом и автоматически инициировать вызов экстренных служб в случае возникновения угрозы жизни пользователя. Эта функция значительно расширяет возможности устройств по обеспечению безопасности пользователей в ситуациях, когда промедление с медицинской помощью недопустимо.

Владельцы устройств Fitbit Air получат доступ к аналогичным функциям мониторинга артериального давления и инсулинорезистентности позже в текущем году, однако для активации этих возможностей потребуется наличие платной подписки Google Health Premium. В отличие от них, пользователи линейки Pixel Watch получают указанные функции в рамках бесплатного обновления программного обеспечения без дополнительных финансовых обязательств, что делает новые инструменты аналитики доступными для широкого круга владельцев современных умных часов этого производителя.

Глобальный рынок мобильных устройств готовится к существенному изменению структуры продаж, поскольку производители постепенно отказываются от выпуска бюджетных моделей. Согласно прогнозам аналитической компании Counterpoint Research, несмотря на ожидаемое восстановление мировых продаж смартфонов до уровня 1,2 миллиарда единиц в год к концу десятилетия, сегмент самых дешевых устройств будет демонстрировать стремительное сокращение. Ожидается, что объем реализации смартфонов стоимостью менее 200 долларов уменьшится на 40 процентов в период до 2030 года, что фактически будет означать продажу на 230 миллионов устройств меньше ежегодно в этом ценовом диапазоне.

Основным фактором такой трансформации рынка является рост стоимости ключевых аппаратных компонентов, в частности микросхем оперативной и постоянной памяти, а также центральных процессоров. Поскольку эти детали составляют значительную часть себестоимости бюджетного смартфона, производители сталкиваются с критическим снижением рентабельности, что делает производство дешевых устройств экономически невыгодным. Дополнительное давление создает постоянное повышение минимальных технических требований к современным смартфонам, из-за чего поддерживать низкую цену при одновременном соблюдении стандартов качества становится технически и финансово сложно для компаний.

Изменение стратегии производителей напрямую повлияет на конечных пользователей, которые ранее ориентировались на покупку недорогой техники. Вероятно, потребителям придется тратить больше средств на новые устройства, пользоваться имеющимися гаджетами значительно более долгий срок или переходить на рынок подержанной или восстановленной техники. Эксперты указывают на то, что эти последствия будут особенно ощутимыми для рынков развивающихся стран, где дефицит доступных по цене новых смартфонов может существенно замедлить темпы распространения мобильного интернета и доступа к цифровым услугам для слоев населения с низкими доходами.

Вместо этого крупные компании переносят фокус своих маркетинговых усилий и инвестиций на среднеценовой сегмент устройств, который постепенно становится новым стандартом для потребителей. Несмотря на стагнацию общего количества продаж в этом секторе, производители рассчитывают на получение прибыли за счет более высокой стоимости единицы товара. Покупатели будут получать смартфоны с поддержкой сетей стандарта 5G, большим объемом памяти, более качественными сенсорами камер и интегрированными функциями искусственного интеллекта, однако средняя стоимость нового устройства неизбежно будет расти, поскольку самые дешевые модели постепенно исчезают из открытых продаж.

Прогнозируемый рост продаж смартфонов в ценовой категории от 200 долларов и выше на 26 процентов за этот же период подтверждает смещение акцентов в стратегиях ведущих брендов. Текущие данные свидетельствуют, что производители не планируют компенсировать потери в бюджетном сегменте увеличением выпуска дешевых моделей, а отдают предпочтение более высокой прибыли с каждого проданного смартфона. Этот процесс демонстрирует, как технологический прогресс компонентов и глобальная экономическая ситуация меняют доступность средств связи для потребителей во всем мире в течение следующих пяти лет.

Внутреннее хранилище современного смартфона требует высокой скорости для выполнения большинства задач, в частности для сохранения видеоматериалов, полученных с камер устройства. Хотя большинство кратковременных операций эффективно используют эту скорость, выявлено, что новый iPhone 18 Pro Max может иметь определенные ограничения при экстремально интенсивных и длительных нагрузках, что характерно для любых SSD-накопителей.

Согласно анализу, проведенному каналом Homolab на платформе Bilibili, тип накопителя, использованный компанией Apple в модели iPhone 18 Pro Max с объемом памяти 1 терабайт, потенциально может вызывать проблемы при чрезвычайных нагрузках. В определенных условиях скорость этого накопителя способна значительно снижаться, как это происходит со многими твердотельными дисками.

Эта особенность соответствует ожиданиям, ведь Apple применяет технологию хранения данных QLC (Quad-Level Cell) вместо TLC (Triple-Level Cell) флеш-памяти в своих моделях с большим объемом. Использование именно этого типа памяти для больших емкостей было предметом слухов еще в июле, что подтвердилось в дальнейших исследованиях.

В ходе тестирования, проведенного Homolab, сравнивались модели iPhone 18 Pro Max на 1 терабайт с QLC-памятью и на 512 гигабайт с TLC-памятью. Измерения скорости чтения данных в формате 4K показали, что оба устройства демонстрировали довольно схожие результаты, при этом QLC-накопитель имел преимущество примерно на 11%.

Однако, во время тестирования с параметрами Queue Depth 1 и Thread Count 1 (Q1T1), которое оценивает, как накопитель справляется с одной последовательной задачей в непрерывной цепочке, скорость накопителя объемом 1 терабайт значительно отстала. Модель на 512 гигабайт набрала 11 285 баллов, тогда как 1 ТБ модель достигла лишь 8 168 баллов, что свидетельствует о 38-процентной разнице в производительности при низкой глубине очереди.

Существует также разница в других глубинах очереди, хотя она является менее значительной. Например, для теста Q4T4, модель на 512 гигабайт показала результат 35 992 балла, что примерно на 12% лучше, чем 32 219 баллов, полученных моделью на 1 терабайт. Важно отметить, что тестирование также выявило: при чрезвычайно интенсивных нагрузках накопитель объемом 1 терабайт может работать на очень низких скоростях.

При непрерывном тестировании скорость записи достигала 79.4 мегабайт в секунду, а в отдельных случаях даже снижалась до 25.6 мегабайт в секунду. Такое поведение является нормальным и ожидаемым для SSD-накопителей, используемых в современном iPhone, особенно при интенсивном использовании, превышающем стандартные сценарии.

Основная причина проблемы заключается в использовании флеш-памяти типа QLC для хранения данных вместо TLC. Как следует из названий, QLC-память способна хранить четыре бита данных в одной ячейке памяти, тогда как TLC хранит три бита. При изменении даже одного бита в QLC-памяти необходимо перезаписывать все четыре бита, что влияет на скорость.

С разработкой 3D NAND, TLC-память считается оптимальным выбором для достижения баланса между скоростью доступа к сохраненным данным и общей емкостью накопителя. Кроме того, необходимо учитывать долговечность, поскольку QLC-память, из-за записи большего количества битов в каждую ячейку памяти, является более медленной и менее долговечной со временем по сравнению с TLC-памятью.

Чтобы обойти эти ограничения, Apple интегрировала небольшой кэш из флеш-памяти типа SLC (Single-Level Cell), который предназначен для обработки коротких команд записи и выполняет роль буфера для основного объема хранилища. Этот кэш является чрезвычайно быстрым, его скорость составляет около 3 000 мегабайт в секунду, однако он имеет очень малую доступную емкость.

После исчерпания ресурсов этого первого кэша, данные направляются ко второму, более медленному буферу, который выполняет аналогичную функцию. Эта память работает на уровнях скорости TLC, что составляет около 578 мегабайт в секунду по результатам тестов, но и ее ресурс может быть исчерпан при длительных и интенсивных операциях записи данных на устройство.

В конечном итоге, если оба начальные и вторичные буферы полностью заполнены, данные записываются непосредственно в основное хранилище. Однако в этом случае скорость записи значительно снижается до уже упомянутого «ледяного» уровня, что свидетельствует о прямом влиянии на производительность при отсутствии кэширования.

Тестирование также выявило, что объем свободного места на накопителе может существенно ухудшать ситуацию. При заполнении накопителя на 60% меньшее количество свободного места значительно уменьшает емкость быстрого SLC-кэша: с примерно 250 гигабайт до около 58 гигабайт, что прямо влияет на его эффективность.

Это также негативно влияет на буфер TLC, снижая скорость до 396 мегабайт в секунду. Когда буферы исчерпываются и в этом случае, скорость записи QLC-памяти в среднем составляет 45 мегабайт в секунду, а иногда может падать до чрезвычайно низкого значения в 1.1 мегабайт в секунду.

Описанные результаты тестирования представляют собой сценарий максимально неблагоприятных условий, выводящих хранилище iPhone 18 Pro Max на предел его возможностей. Любая система хранения данных будет испытывать снижение производительности под воздействием экстремальных симулированных рабочих нагрузок, которые редко встречаются в повседневном использовании.

Хотя эти цифры могут показаться тревожными, большинство рядовых потребителей вряд ли столкнутся с подобными ситуациями в повседневном использовании. При типичных нагрузках, или даже во время игр, встроенные кэши легко справляются со всеми операциями, обеспечивая стабильную и высокую скорость работы устройства.

Для достижения результатов, полученных во время теста, необходимо записывать десятки гигабайт данных в течение длительного времени, что является нереалистичным сценарием для большинства случаев использования iPhone. Запись 4K-видео с высоким битрейтом в течение очень длительного периода, например, 30 минут подряд, или другие крупные передачи файлов могут быть под влиянием, но это является исключением, а не нормальным использованием устройства.

После появления новых моделей iPhone на рынке традиционно начинают появляться подробные обзоры их внутреннего устройства. В рамках одного из таких исчерпывающих исследований специалисты по ремонту iFixit тщательно изучили некоторые компоненты внутри устройств iPhone 18 Pro и iPhone 18 Pro Max, предоставляя общественности важную информацию об их конструкции и потенциальной ремонтопригодности.

Главной особенностью линейки iPhone 18 Pro, которая привлекла особое внимание во время разборки, является новая камера с переменной диафрагмой. Механизм этой камеры, расположенный в том же корпусе, что и камера iPhone 17 Pro, состоит из шести перекрывающих друг друга лепестков, изготовленных из полимерно-композитного материала. Движение этих элементов обеспечивается магнитным полем, которое перемещает каждый лепесток, причем их толщина почти равна толщине человеческого волоса.

Для обеспечения правильного и точного движения каждый из этих миниатюрных лепестков имеет ряд прорезей и отверстий, которые взаимодействуют со штифтами приводного механизма. Из-за чрезвычайной тонкости и малого размера этих компонентов iFixit считает, что большинство энтузиастов ремонта, вероятно, не смогут самостоятельно их починить. Достижение необходимой точности и использование специальных клеев делает ремонт почти невозможным, поэтому замена компонента считается более целесообразным вариантом.

Несмотря на сложность ремонта отдельных элементов камеры, доступ к её блоку относительно прост благодаря модульной конструкции. Хотя починить миниатюрные лепестки трудно, процесс замены всего модуля камеры считается менее обременительным, чем обычно, что является положительным моментом для сервисных центров и опытных техников.

Что касается доступа внутрь iPhone 18 Pro и Pro Max, то здесь применяется тот же метод входа через переднюю панель, как и в моделях iPhone 17 Pro, что было воспринято с определённым разочарованием. Задняя стеклянная панель, хотя и может быть снята, не содержит других доступных для обслуживания компонентов, кроме беспроводной катушки, что ограничивает её функциональность для ремонта.

Для замены аккумулятора необходимо демонтировать приклеенный дисплей, что, как оказалось, является довольно проблематичным процессом. Даже если сама дисплейная панель остаётся неповреждённой, пластиковая рамка часто трескается или отслаивается, повреждая весь модуль, что значительно усложняет дальнейший ремонт и увеличивает риск дополнительных затрат.

Однако после успешного снятия дисплея дальнейшая разборка устройства становится более прямолинейной. Это включает металлический лоток для аккумулятора, который крепится винтами, а не клеем. Сама аккумуляторная ячейка всё ещё приклеена к лотку, но её можно освободить с помощью электрического тока. Логическая плата была обновлена до нового дизайна, чтобы соответствовать изменённому расположению процессора A20 Pro и смещённой памяти.

Обновлённая конструкция теперь предусматривает размещение процессора A20 Pro на внешней стороне многослойной логической платы. Над A20 Pro также расположена специальная прокладка, которая содержит материал, напоминающий термальную кольчугу. Её назначение заключается в обеспечении стабильного контакта с охлаждающей системой, которой является значительно большая испарительная камера, улучшая отвод тепла.

Вместе с тем, эти изменения привели к тому, что накопитель NAND теперь находится внутри многослойной логической платы. Доступ к нему требует более сложных манипуляций, что затрудняет восстановление данных в случае необходимости. Кроме того, как уже было отмечено ранее, в версии iPhone 18 Pro Max для рынка США отсутствует модем C2.

Инфракрасная камера Face ID теперь расположена под дисплеем и едва заметна как более тусклый круг пикселей на панели. При рассмотрении под микроскопом становятся видны промежутки в дисплее, которые позволяют инфракрасной камере функционировать. Дополнительно функционированию этой камеры способствует инфракрасный пропускающий фильтр, находящийся непосредственно под дисплеем.

Этот блок можно отсоединить и извлечь без использования винтов или клея, что стало приятным сюрпризом для специалистов. Менее неожиданной оказалась конструкция порта USB-C, который использует гибкий кабель, проходящий вдоль боковой части корпуса для достижения логической платы, преодолевая при этом многочисленные препятствия внутри устройства.

В целом, iFixit оценивает ремонтопригодность iPhone 18 Pro и Pro Max на 7 баллов из 10 возможных. Главным фактором, снижающим оценку, является дисплей, поскольку он является основным путём доступа к внутренним компонентам iPhone, что увеличивает риск дальнейших повреждений во время разборки. В то же время, металлический лоток для аккумулятора и съёмные модули камер являются значительными преимуществами для ремонта.

Эта оценка является предварительной и может измениться после того, как iFixit завершит свои проверки относительно доступности запчастей и совместимости программного обеспечения. Окончательные выводы будут сделаны после полного анализа всех аспектов, связанных с поддержкой ремонта этих новых устройств на рынке.

Компания Qualcomm обнародовала ожидаемые данные бенчмарков для недавно анонсированного чипа Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, что позволяет получить детальное представление о сравнительной производительности нового флагманского системного чипа с прошлогодним Snapdragon 8 Elite Gen 5. Эти показатели являются внутренними результатами, полученными на референсном оборудовании Qualcomm, поэтому фактическая производительность устройств будет зависеть от системы охлаждения, лимитов мощности и конкретных реализаций производителями оригинального оборудования.

Чип Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 позиционируется в высшей категории по сравнению со стандартным Snapdragon 8 Elite Gen 6 в рамках новой двухчиповой иерархии, представленной компанией Qualcomm. Этот процессор использует новейший Oryon CPU и обновленный графический процессор Adreno, изготовленные по 2-нанометровому технологическому процессу. Его два основных процессорных ядра способны достигать тактовой частоты 5 ГГц.

Официальные заявления компании Qualcomm указывают на существенные улучшения: производительность центрального процессора выросла на 13 процентов, графического процессора — на 44 процента, а нейропроцессорный блок Hexagon NPU стал быстрее на 35 процентов. Эти показатели отражают заявленные улучшения по сравнению с предыдущим поколением процессоров.

Бенчмарки Qualcomm включают прямые сравнения с Snapdragon 8 Elite Gen 5 в общеизвестных тестах, таких как Geekbench 6,5. В этом тесте Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 показал результаты от 4309 до 4332 баллов в одноядерном режиме, тогда как Snapdragon 8 Elite Gen 5 достигал от 3825 до 3900 баллов. Это демонстрирует преимущество нового чипа примерно на 11,9 процента.

Улучшение в многоядерном режиме Geekbench 6,5 оказалось менее значительным. Qualcomm фиксирует результаты от 12954 до 13056 баллов для Extreme Gen 6, а его предшественник показал от 12200 до 12350 баллов. Таким образом, среднее улучшение в многоядерной производительности составляет около 5,9 процента.

Производительность в веб-браузерах продемонстрировала существенно больший прирост. Оба поколения чипов тестировались с помощью Speedometer 3,1 в Chrome версии 139, используя одинаковую методологию с 12 моделями. Snapdragon 8 Elite Gen 5 показал результаты от 48 до 49 баллов, тогда как Extreme Gen 6 увеличил этот показатель до 59,5-60,4 балла, что соответствует улучшению на 23,6 процента.

В тесте AITutu-CV V3 референсная платформа Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5 набрала около 2,5 миллиона баллов. В то же время, Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 достиг 2903533 балла, что свидетельствует об улучшении производительности примерно на 16 процентов.

Чип Extreme Gen 6 продемонстрировал результаты от 5606990 до 5619756 баллов в бенчмарке AnTuTu. Важно отметить, что Qualcomm перешла с AnTuTu версии 11, которую использовали для тестирования Snapdragon 8 Elite Gen 5, на AnTuTu версии 12 для нового чипа. Из-за этого изменения версии непосредственное сравнение с результатами Snapdragon 8 Elite Gen 5, составлявшими 4,25-4,5 миллиона, не является корректным или значимым.

Тест Geekbench 7 показывает значительно более выраженные отличия, однако это сравнение сопровождается важным предостережением относительно условий тестирования. Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 набрал от 3599 до 3624 баллов в одноядерном режиме и от 12281 до 12491 балла в многоядерном режиме Geekbench 7.

Компания Primate Labs ранее опубликовала предварительные результаты Geekbench 7 для Snapdragon 8 Elite Gen 5, полученные на смартфоне Samsung Galaxy S25 Ultra. Это устройство продемонстрировало около 2702 баллов в одноядерном режиме и 9736 баллов в многоядерном режиме.

Сравнение этих предварительных показателей свидетельствует о том, что Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 демонстрирует преимущество примерно на 34 процента в одноядерной производительности и примерно на 27 процентов в многоядерной по сравнению с предыдущим поколением.

В то же время, необходимо подчеркнуть, что это сравнение не является полностью прямым и идентичным по условиям тестирования. Показатели для Snapdragon 8 Elite Gen 5 были получены с реального коммерческого устройства Samsung Galaxy S25 Ultra, тогда как цифры для Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 являются ожидаемыми результатами, полученными на референсной платформе Qualcomm.

Данные 3DMark, упоминаемые во внутренних материалах, были конвертированы в показатели кадров в секунду (FPS) для сравнения, используя формулу UL Benchmark для тестов Wild Life и Steel Nomad. Это дает лучшее представление об улучшении производительности нового графического процессора Adreno. К сожалению, бенчмарк AIMark изменил версию с V2 на V3, а MLPerf — с V2 на V6.

Из-за этих изменений версий прямые сравнения между поколениями в этих тестах невозможны. В то же время, новые показатели Qualcomm для искусственного интеллекта, в частности 3659031 балл в AITutu-LLM V3 и 835052 балла в AIMark VLM V3, являются полезными индикаторами возможностей новой платформы, хотя и не позволяют прямого сравнения с предыдущим поколением.

Один из новых тестов также демонстрирует возможности технологии Adreno Neural Fusion от Qualcomm. В тесте Traverse Evolve чип Extreme Gen 6, по сообщениям, работает со скоростью 17,8 кадров в секунду без апскейлинга, но достигает 52,2 кадров в секунду с включенным апскейлингом и генерацией кадров. Это, по расчетам Qualcomm, составляет увеличение производительности на 193,3 процента.

При фиксированной целевой частоте 10 кадров в секунду компания заявляет, что потребление энергии снижается с 5,6 ватта в нативном режиме до 1,0 ватта с использованием апскейлинга. Это представляет значительное уменьшение энергопотребления на 81 процент.