Рабочая температура обычных кремниевых транзисторов не должна превышать 150 градусов Цельсия, чего недостаточно для многих сценариев. Ученые лаборатории HRL Laboratories научились изготавливать транзисторы с алмазными компонентами. Это открывает путь к электронике, которая способна работать при температуре до 1000 градусов Цельсия.
Для алмазных полевых транзисторов повышение температуры даже улучшает их характеристики. Чем выше нагрев алмаза, тем лучше проводимость транзисторных каналов и тем выше их электрические показатели. При комнатной температуре они работают с посредственными характеристиками.
Для производства полевых транзисторов FinFET с алмазными ребрами исследователи использовали технологию оммческой рекристаллизации (повторного роста) контактов между алмазом и составными частями транзистора. Задачей было создать надежные контакты с низким сопротивлением между каналом, стоком и истоком.
Алмазные транзисторы и чипы на их основе можно будет устанавливать в непосредственной близости от двигателей, охладителей и других горячих компонентов техники. Это должно улучшить системы управления различными энергетическими и двигательными установками.
