Робоча температура звичайних кремнієвих транзисторів не повинна перевищувати 150 градусів Цельсія, чого замало для багатьох сценаріїв. Учені лабораторії HRL Laboratories навчилися виготовляти транзистори з алмазними компонентами. Це відкриває шлях до електроніки, яка здатна працювати при температурі до 1000 градусів Цельсія.
Для діамантових польових транзисторів підвищення температури навіть поліпшує їхні характеристики. Чим вищий нагрів алмазу, тим краща провідність транзисторних каналів і тим вищі їхні електричні показники. При кімнатній температурі вони працюють з посередніми характеристиками.
Для виробництва польових транзисторів FinFET з алмазними ребрами дослідники використовували технологію омічної рекристалізації (повторного зростання) контактів між алмазом і складовими частинами транзистора. Завданням було створити надійні контакти з низьким опором між каналом, стоком і витоком.
Алмазні транзистори та чипи на їхній основі можна буде встановлювати в безпосередній близькості від двигунів, охолоджувачів та інших гарячих компонентів техніки. Це повинно покращити системи керування різноманітними енергетичними та рушійними установками.
