Компания Samsung Electronics начала массовое производство флеш-памяти eUFS 3.1. Чипы имеют емкость до 512 ГБ и предназначены для использования в мобильных гаджетах, включая смартфоны. Также будут версии на 128 и 256 ГБ.
В новой флеш-памяти eUFS 3.1 пиковая скорость последовательной записи составляет 1200 МБ/с. Пиковая скорость чтения достигает 2100 МБ/с.
Эти показатели в 3 раза быстрее, чем eUFS 3.0. В последней пиковая скорость последовательной записи составляет 410 МБ/с.
Максимальная производительность флеш-памяти Samsung eUFS 3.1 на операциях чтения с произвольным доступом заявлена на уровне 100 000 IOPS, а записи – 70 000 IOPS.
