Для смартфонів розробили нову флеш-пам’ять eUFS 3.1: втричі швидша за eUFS 3.0

Максимальна продуктивність флеш-пам'яті Samsung eUFS 3.1 на операціях читання з довільним доступом заявлена на рівні 100 000 IOPS

Компанія Samsung Electronics розпочала масове виробництво флеш-пам’яті eUFS 3.1. Чипи мають обсяг до 512 ГБ та призначені для використання в мобільних гаджетах, зі смартфонами включно. Також будуть версії на 128 та 256 ГБ.

У нової флеш-пам’яті eUFS 3.1 пікова швидкість послідовного запису становить 1200 МБ/с. Пікова швидкість читання сягає до 2100 МБ/с.

Ці показники втричі швидші, ніж eUFS 3.0. В останньої пікова швидкість послідовного запису складає 410 МБ/с.

Максимальна продуктивність флеш-пам’яті Samsung eUFS 3.1 на операціях читання з довільним доступом заявлена на рівні 100 000 IOPS, а запису – 70 000 IOPS.

НАПИСАТИ ВІДПОВІДЬ

Коментуйте, будь-ласка!
Будь ласка введіть ваше ім'я