Компанія Samsung Electronics розпочала масове виробництво флеш-пам’яті eUFS 3.1. Чипи мають обсяг до 512 ГБ та призначені для використання в мобільних гаджетах, зі смартфонами включно. Також будуть версії на 128 та 256 ГБ.
У нової флеш-пам’яті eUFS 3.1 пікова швидкість послідовного запису становить 1200 МБ/с. Пікова швидкість читання сягає до 2100 МБ/с.
Ці показники втричі швидші, ніж eUFS 3.0. В останньої пікова швидкість послідовного запису складає 410 МБ/с.
Максимальна продуктивність флеш-пам’яті Samsung eUFS 3.1 на операціях читання з довільним доступом заявлена на рівні 100 000 IOPS, а запису – 70 000 IOPS.
