Вторник, 5 ноября, 2024

Для смартфонов представили новую флеш-память eUFS 3.1: втрое быстрее, чем eUFS 3.0

Компания Samsung Electronics начала массовое производство флеш-памяти eUFS 3.1. Чипы имеют емкость до 512 ГБ и предназначены для использования в мобильных гаджетах, включая смартфоны. Также будут версии на 128 и 256 ГБ.

В новой флеш-памяти eUFS 3.1 пиковая скорость последовательной записи составляет 1200 МБ/с. Пиковая скорость чтения достигает 2100 МБ/с.

Эти показатели в 3 раза быстрее, чем eUFS 3.0. В последней пиковая скорость последовательной записи составляет 410 МБ/с.

Максимальная производительность флеш-памяти Samsung eUFS 3.1 на операциях чтения с произвольным доступом заявлена на уровне 100 000 IOPS, а записи – 70 000 IOPS.

Євген
Євген
Евгений пишет для TechToday с 2012 года. По образованию инженер,. Увлекается реставрацией старых автомобилей.

Vodafone

Залишайтеся з нами

10,052Фанитак
1,445Послідовникислідувати
105Абонентипідписуватися