IBM заявляє, що досягла прориву в чипобудуванні, створивши перший у світі напівпровідниковий чип із розміром елементів менше 1 нанометра (нм).
Спираючись на архітектуру «nanosheet», яку компанія використала у 2021 році для створення 2-нм чипа, IBM каже, що новий дизайн «nanostack» дозволив зайти ще далі й виготовити робочий чип розміром 7 ангстрем (0,7 нм). У підсумку вийшов кристал із удвічі вищою щільністю, ніж у попереднього 2-нм дизайну: майже 100 мільярдів транзисторів на площі, співмірній з людським нігтем.
За словами IBM, додаткові транзистори дають змогу отримати чип, який забезпечує або «до 50% вищу продуктивність, або на 70% кращу енергоефективність порівняно з 2-нм чипами IBM».
Джей Гамбетта, директор IBM Research, заявив, що нова архітектура відкриває «майбутнє, у якому обчислення стануть значно потужнішими без відповідного збільшення енергоспоживання».
Нова архітектура nanostack розвиває наявну технологію транзисторів nanosheet. Компанія зʼясувала, що може вертикально складати та зміщувати такі транзистори. Як показано на схематичному зображенні, кожен транзистор складається з трьох елементів-nanosheet товщиною приблизно 5 нм, між якими близько 9 нм проміжку. Для кращого розуміння: кожен nanosheet складається лише з 15 рядів атомів кремнію.
IBM оцінює, що на масове виробництво чипів на архітектурі nanostack піде близько п’яти років. На початку року японський виробник Rapidus — партнер IBM з комерціалізації нинішньої технології nanosheet — заявив, що планує розпочати серійний випуск 2-нм чипів у другій половині 2027 року, через що п’ятирічний прогноз для nanostack виглядає дещо надто оптимістичним.
IBM пообіцяла надалі розповісти більше про плани комерціалізації, але наголошує, що нова архітектура забезпечить шлях для подальшого підвищення продуктивності й ефективності кремнієвих чипів щонайменше на наступне десятиліття.