Компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва флеш-пам’яті типу eUFS 2.1 обсягом в 1 ТБ для смартфонів. Це перший у світі модуль такого типу і такого обсягу.
Розмір чіпа становить 11,5х13 мм, і він пропонує вдвічі більше дискового простору проти минулого рішення Samsung на 512 ГБ. Модуль побудований на основі 16 шарів 512-гігабітної флеш-пам’яті V-NAND, якою керує новий пропрієтарний контролер.
Розробники говорять, що 1000 ГБ пам’яті вистачить для зберігання на смартфоні до 260 десятихвилинних відеороликів у форматі 4K UHD з роздільною здатністю 3840х2160 пікселів. На поширений сьогодні обсяг у 64 ГБ вдасться записати лише 13 таких відео.
Новий модуль флеш-пам’яті пропонує не лише великий обсяг, а й збільшену швидкість пересилання даних. Інформацією можна обмінюватися на рівні до 1000 МБ/с при послідовному читанні і 260 МБ/с – при послідовному записі. Також чіп добре підходить для роботи додатків, виконуючи до 58 тисяч операцій введення/виведення на секунду (IOPS) при довільному читанні і до 50 тисяч – при довільному записі. За словами виробника, це вдвічі більше за звичайний 2,5-дюймовий SSD з інтерфейсом SATA.
Очікується, що першим смартфоном з накопичувачем на 1000 ГБ стане Samsung Galaxy S10+. Анонс серії Galaxy S10 запланований на 20 лютого на виставці MWC 2019, яка пройде в Барселоні.
