Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства флеш-памяти типа eUFS 2.1 объемом в 1 ТБ для смартфонов. Это первый в мире модуль такого типа и такой емкости.
Размер чипа составляет 11,5х13 мм, и он предлагает в два раза больше дискового пространства по сравнению с прошлым решениям Samsung на 512 ГБ. Модуль построен на основе 16 слоев 512-гигабитной флеш-памяти V-NAND, которой руководит новый проприетарный контроллер.
Разработчики говорят, что 1000 ГБ памяти хватит для хранения на смартфоне до 260 десятиминутных видеороликов в формате 4K UHD с разрешением 3840х2160 пикселей. На распространенный сегодня объем в 64 ГБ удастся записать лишь 13 таких видео.
Новый модуль флеш-памяти предлагает не только большую емкость, но и увеличенную скорость передачи данных. Информацией можно обмениваться на уровне 1000 МБ/с при последовательном чтении и 260 МБ/с – при последовательной записи. Также чип хорошо подходит для работы приложений, выполняя до 58 тысяч операций ввода/вывода в секунду (IOPS) при произвольном чтении и до 50 тысяч – при произвольной записи. По словам производителя, это в два раза больше обычного 2,5-дюймового SSD с интерфейсом SATA.
Ожидается, что первым смартфоном с накопителем на 1000 ГБ станет Samsung Galaxy S10+. Анонс серии Galaxy S10 запланирован на 20 февраля на выставке MWC 2019, которая пройдет в Барселоне.
