Цьогорічні флагмани продовжать традицію використовувати чіпи від Qualcomm. Цього року в них встановлюватимуть рішення Snapdragon 835, яке обіцяє багато цікавих можливостей. Список досить довгий, і ось п’ять з них.
- Крихітний та ефективний завдяки 10 нм
Snapdragon 835 виготовлятимуть за технологічними нормами у 10 нанометрів, тоді як минулорічний Snapdragon 820 використовував 14 нанометрів. Менші за розмірами транзистори означають менше енергоспоживання та більшу продуктивність. У Snapdragon 835 буде чотири потужних ядра Kyro 280 по 2,45 ГГц, а також чотири «повільних» ядра по 1,9 ГГц. Відеокарта Adreno 540 буде на 25% продуктивнішою у 3D-графіці, підтримує HDR та 10-бітні дисплеї. При всьому цьому чіп Snapdragon 835 споживатиме на 25% менше енергії.
- Підтримка кращих камер
Новий Snapdragon 835 запропонує поліпшені фотоможливості, якими зможуть скористатися виробники смартфонів. Цей чіп може, наприклад, працювати одночасно з двома камерами по 16 мегапікселів або однією на 32 мегапікселі.
- Швидке пересилання даних
У Snapdragon 835 вбудований модем Qualcomm X16 LTE. Він дозволяє об’єднувати 4 несучі частоти та підтримує формат антен 4×4 MIMO. Це категорія LTE 16 для завантаження та категорія 13 на вивантаження. У перекладі на максимальні швидкості це означає до 1 гігабіту на секунду при завантаженні та 150 мегабіт на секунду при вивантаженні даних.
Чіп також підтримує стандарти Wi-Fi 802.11ac та 802.11ad. А ще він став першим сертифікованим рішенням з Bluetooth 5.0.
- Покращені можливості 4K
Нинішній топовий чіп Snapdragon 820 здатний записувати відео в роздільній здатності 4K зі швидкістю 30 кадрів на секунду. Відтворювати його він зможе на 60 кадрах/сек. Новий чіп додає до цього підтримку кольору у форматі 10 біт. Це означає, що можна буде інсталювати в смартфони дисплеї з підтримкою HDR для насиченіших кольорів.
- Четверте покоління швидкого заряджання
Snapdragon 835 стане першим рішенням Qualcomm, у якому буде Quick Charge 4. Ця технологія, за обіцянням розробника, забезпечить п’ять годин розмов після п’яти хвилин заряджання. З нею мобільник також буде на 5 градусів Цельсію холоднішим, ніж у попередній Quick Charge 3. Вона також може бути або на 20% швидшою, або на 30% ефективнішою.
Резюме
Характеристики Snapdragon 835 звучать чудово, але в них немає революції. Чіп не використовує якусь радикально нову архітектуру ядер, технологію пам’яті чи стандарт зв’язку. Запропоновані ним поліпшення – це логічні можливості, які відкриває перехід на «тонший» технологічний процес у 10 нанометрів.
Перші апарати на Qualcomm Snapdragon 835 повинні з’явитися вже за кілька місяців. Одним з таких може стати, наприклад, Galaxy S8.
