Samsung начала серийный выпуск флеш-чипов на 512 ГБ для гаджетов

Новый чип использует 8 блоков по 64 слоя на 512 гигабит флеш-памяти V-NAND. Предыдущие модели на 256 ГБ использовали 48 слоев.

Южнокорейский гигант Samsung запустил массовое производство флеш-чипов формата Universal Flash Storage (eUFS) емкостью 512 ГБ. Это первые подобные накопители, которые позволят удвоить объемы доступной дисковой памяти в мобильниках и планшетах. Сейчас топовым накопителем является 256 ГБ.

флеш

Новый чип использует 8 блоков по 64 слоя на 512 гигабит флеш-памяти V-NAND. Предыдущие модели на 256 ГБ использовали 48 слоев.

Кроме увеличенного объема новые чипы также получили большие рабочие показатели. Последовательное чтение и запись составляют 860 МБ/сек и 255 МБ/сек соответственно. Этого достаточно, чтобы передать видео размером 5 ГБ приблизительно за шесть секунд. Это также в 400 раз быстрее, чем обеспечивает стандартная карточка microSD. Чип UFS на 512 ГБ также имеет высокие показатели операций случайного доступа для чтения на уровне 42 тыс. IOPS и 40 тыс. IOPS на запись.

Сегодня все главные разработчики на рынке освоили или подошли к массовому производству 64-слойных чипов 3D NAND. На очереди выпуск 96-слойных микросхем. Однако оказалось, что дальнейшее увеличение количества слоев имеет непреодолимые препятствия.

Генеральный директор компании BeSang Inc Чи Сан-юн, которая занимается разработкой чипов 3D NAND, говорит, что он очень удивится, если кто-то сможет наладить выпуск многослойной 3D NAND объемом 4 Тбит. Например, компания Samsung в следующем году пообещала начать производство чипов на 1 Тбит с применением 3D NAND. Детали микросхем неизвестны, но это могут быть 96-слойные микросхемы с записью 4 бит в каждую ячейку (память типа QLC).

Для производства чипа на 4 Тбит без увеличения его площади нужны 512 слоев. Если не случится технологического прорыва, на обработку одной пластины с 512-слойной 3D NAND требуется около одного года (от 43 до 53 недель). В этой цепочке на изготовление руководящей части чипа уходит около 5 недель и еще 8 раз по 5-6 недель на изготовление 64 слоев. То есть производство 512-слоистых кристаллов оказывается настолько длинным, что оно уже не будет экономически выгодным.

Если на обработку каждой пластины на 4 Тбит понадобится год, на обработку пластины с чипами на 16 Тбит уйдет около четырех лет, ведь у них будет 2048 слоев. Именно поэтому эксперты считают, что развитие флеш-памяти может скоро остановиться.

НАПИСАТИ ВІДПОВІДЬ

Коментуйте, будь-ласка!
Будь ласка введіть ваше ім'я