YMTC розпочав поставки своїх твердотільних накопичувачів Zhitai TiPlus7100 на основі останньої 232-шарової пам’яті 3D NAND Xtacking 3.0 зі швидкістю 2400 МТ/с. Це свіже покоління пам’яті 3D NAND потрібне для виробництва твердотільних накопичувачів з інтерфейсом PCIe 5.0 x4. Вони зможуть повністю використати пропускну здатність цього інтерфейсу, досягаючи швидкості послідовного читання 12,4 ГБ/с.
Zhitai TiPlus7100 від YMTC — це накопичувачі M.2-2280 PCIe 4.0 x4, розроблені для поєднання доступності з високою продуктивністю. Твердотільні накопичувачі будуть доступні у версіях на 512 ГБ, 1 ТБ і 2 ТБ з найшвидшими версіями для послідовного читання до 7000 МБ/с, а також швидкості послідовного запису до 6000 МБ/с.
Що стосується операцій доступу, то моделі 1 ТБ і 2 ТБ пропонують до 900 тис. IOPS випадкового читання, а також до 700 тис. IOPS випадкового запису. Накопичувачі TiPlus7100 не містять буфера SDRAM і використовують буфер пам’яті хоста. Ці накопичувачі можуть легко конкурувати з найкращими доступними сьогодні SSD.
| Capacity | 512GB | 1TB | 2TB |
| Interface | PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4 | PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4 | PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4 |
| Form-factor | M.2-2280 | M.2-2280 | M.2-2280 |
| Sequential Read Speed | 7000 MB/s | 7000 MB/s | 7000 MB/s |
| Sequential Write Speed | 3600 MB/s | 6000 MB/s | 6000 MB/s |
| Random Read (4K) | 800K IOPS | 900K IOPS | 900K IOPS |
| Random Write (4K) | 600K IOPS | 700K IOPS | 700K IOPS |
| MTBF | 1.5M hours | 1.5M hours | 1.5M hours |
| Durability | 300 TBW | 600 TBW | 1200 TBW |
| Warranty | 5 years | 5 years | 5 years |
YMTC does not disclose what controller it uses for its Zhitai TiPlus7100 SSDs, but the main point about these drives for us is that they use the company’s 1Tb X3-9070 chips — 232-layer six-plane 3D TLC NAND memory devices with a 2400 MT/s interface and the company’s proprietary Xtacking 3.0 architecture.
The 1Tb X3-9070 device not only boasts a bit density of 15.03 Gb/mm^2 (as revealed by TechInsights), which by far exceeds the bit density of 1Tb 3D TLC NAND memory ICs with less than 200 layers, but it also features an ultra-fast 2400 MT/s interface.
Earlier this week, Micron introduced its Micron 2550 drives based on its 232-layer six-plane 3D TLC NAND devices that is said to have a 14.6 Gb/mm^2 bit density, which outstrips YMTC’s 232-layer 3D TLC ICs in terms of bit density. Meanwhile, Micron’s ICs currently shipped have a 1600 MT/s interface, which is good enough for mainstream drives, but not good enough for ultra-high-performance SSDs with a PCIe 5.0 x4 interface.
| YMTC | Micron | Samsung | WD/Kioxia | SK hynix | YMTC | |
| Кількість шарів | 232 | 232 | 128 | 162 | 176 | 128 |
| Щільність ГБ/кв.мм | 15.03 Gb mm^2 | 14.6 Gb mm^2 | 6.91 Gb mm^2 | 10.4 Gb mm^2 | 10.8 Gb mm^2 | 8.48 Gb mm^2 |
| Ємність | 1 Tb | 1 Tb | 512 Gb | 1 Tb | 512 Gb | 512 Gb |
| Кількість шарів у наступному поколінні | ? | ? | 300+ | 212 | 238 | 196 |
YMTC не розкриває, який контролер використовується для твердотільних накопичувачів Zhitai TiPlus7100, але головне полягає в тому, що вони використовують чипи компанії 1 ТБ X3-9070. Це 232-шарові пристрої пам’яті 3D TLC NAND із шістьма площинами та 2400 МТ/с і власною архітектурою Xtacking 3.0.
Пам’ять 1 ТБ X3-9070 не тільки може похвалитися бітовою щільністю 15.03 Гбіт/мм^2. Це значно перевищує щільність бітів мікросхем пам’яті 3D TLC NAND ємністю 1 Тбайт із менш ніж 200 шарами. Новинка також має надшвидкий інтерфейс 2400 МТ/с.
Раніше Micron представила накопичувачі Micron 2550 на основі своїх 232-шарових шестиплощинних пристроїв 3D TLC NAND, які, як кажуть, мають щільність бітів 14,6 Гбіт/мм^2. Це перевершує 232-шарові 3D TLC IC YMTC з точки зору щільності зберігання даних. Між тим, мікросхеми Micron, які зараз постачаються, мають інтерфейс 1600 МТ/с, що достатньо для основних дисків, але недостатньо для надвисокопродуктивних SSD з інтерфейсом PCIe 5.0 x4.
Таким чином, хоча YMTC не єдина компанія, яка масово виробляє 3D NAND із понад 200 шарами, це перша компанія, яка масово виробляє пам’ять зі швидкістю вводу-виводу 2400 МТ/с. Однак це триватиме недовго, оскільки на початку 2023 року Micron планує розпочати виробництво 232-шарової 3D NAND з інтерфейсом 2400 МТ/с.
