Samsung оголосила про повну готовність до масового виробництва нових чипів оперативної пам’яті обсягом 16 ГБ. Ці мікросхеми підвищують обсяг чипів оперативної пам’яті, який сьогодні складає 12 ГБ.
Модулі на 16 ГБ виробляються за 10-нанометровим технологічним процесом. Щоб вмістити такий обсяг на чипі, розробники використали вертикальне розташування кристалів пам’яті. Із залучених 12 кристалів вісім мають обсяг 12 Гбіт, а решта чотири – по 8 Гбіт.
Нові модулі пам’яті відносяться до стандарту LPDDR5 і приблизно в 1,3 раза швидші за пам’ять попереднього покоління LPDDR4X. Чип, за твердженням Samsung, здатний передати 44 ГБ даних за секунду.
Перехід на LPDDR5 також споживає менше енергії під час роботи. У Samsung обіцяють зростання енергоефективності на 20%.
