Samsung объявила о полной готовности к массовому производству новых чипов оперативной памяти емкостью 16 ГБ. Эти микросхемы повышают емкость чипов оперативной памяти, которая сегодня составляет 12 ГБ.
Модули на 16 ГБ производятся по 10-нанометровому технологическому процессу. Чтобы вместить такой объем на чипе, разработчики использовали вертикальное расположение кристаллов памяти. Из привлеченных 12 кристаллов восемь имеют объем 12 Гбит, а остальные четыре – по 8 Гбит.
Новые модули памяти относятся к стандарту LPDDR5 и примерно в 1,3 раза быстрее памяти предыдущего поколения LPDDR4X. Чип, по утверждению Samsung, способный передать 44 ГБ данных за секунду.
Переход на LPDDR5 также потребляет меньше энергии во время работы. В Samsung обещают рост энергоэффективности на 20%.
