Уже декілька років поспіль флагманські гаджети, попри очікування користувачів, отримують лише 3 ГБ оперативної пам’яті. Але наступного року вже можуть з’явитися перші гаджети з 4 ГБ «оперативки», появу яких передбачали ще у 2013 році.
Samsung почала випускати чіпи пам’яті нового покоління, що дозволяють створювати модулі ємністю до 4 ГБ. Нові чіпи є 8-гігабітними зразками енергоефективної пам’яті LPDDR4 та виробляються по 20-нанометровому техпроцесу. На сьогодні в мобільній індустрії поширені модулі LPDDR3 щільністю 4 Гбіт.
Нова пам’ять підтримує швидкість пересилання даних до 3200 Мбіт/с, що вдвічі вище швидкості звичайної пам’яті DDR3, яку можна знайти в комп’ютерах або серверах. Завдяки такій швидкодії мобільні пристрої стануть більш пристосованими до обробки фотографій понад 20 мегапікселів та запису відео у роздільній здатності 4К.
Пам’ять LPDDR4 працює на зниженому рівні напруги в 1,1 В порівняно з попередніми стандартами. Це зробить гаджети ефективнішими та автономнішими, наприклад, якщо гаджет матиме 2 ГБ такої пам’яті, тоді економія енергії становитиме до 40% в порівнянні з мікросхемою того ж обсягу, але щільністю 4 Гбіт.
Компанія Samsung вже випускає модулі пам’яті LPDDR4 обсягом 2 та 3 ГБ, а на початку 2015 південнокорейський гігант планує перші поставки модулів обсягом 4 ГБ. Далі справа буде за виробниками телефонів, які мають презентувати відповідні новинки.
Comments are closed.