Samsung анонсировал свои планы по очередной эволюции «железа» в смартфонах. Глава мобильного подразделения южнокорейского производителя сказал, что в 2019 году станет доступен новый тип встроенного флеш-накопителя. В 2020 году мобильники также получат новое поколение оперативной памяти.
Сегодня в смартфонах наиболее прогрессивным типом флеш-накопителя является UFS 2.1. В 2019 году ему на замену придет UFS 3.0. Эти накопители получат большую производительность работы с данными – вендор обещает до двух раз. Благодаря использованию последних технологий производства чипы памяти типа 3D NAND будут также более емкими. Будут доступны чипы на 128, 256 и 512 гигабайт, а в 2021 году также появится опция в 1 ТБ.
В 2020 году Samsung начнет использование оперативной памяти стандарта LPDDR5. Она будет передавать данные почти вдвое быстрее существующих решений – до 51,2 ГБ/с против 25 ГБ/с. При этом она будет на 20% энергоэффективнее. Предыдущее поколение оперативной памяти LPDD4 внедрили в 2014 году.
