Алмазные транзисторы открыли путь к сверхгорячей электронике

Это открывает путь к электронике, которая способна работать при температуре до 1000 градусов Цельсия.

Рабочая температура обычных кремниевых транзисторов не должна превышать 150 градусов Цельсия, чего недостаточно для многих сценариев. Ученые лаборатории HRL Laboratories научились изготавливать транзисторы с алмазными компонентами. Это открывает путь к электронике, которая способна работать при температуре до 1000 градусов Цельсия.

Для алмазных полевых транзисторов повышение температуры даже улучшает их характеристики. Чем выше нагрев алмаза, тем лучше проводимость транзисторных каналов и тем выше их электрические показатели. При комнатной температуре они работают с посредственными характеристиками.

Для производства полевых транзисторов FinFET с алмазными ребрами исследователи использовали технологию оммческой рекристаллизации (повторного роста) контактов между алмазом и составными частями транзистора. Задачей было создать надежные контакты с низким сопротивлением между каналом, стоком и истоком.

Алмазные транзисторы и чипы на их основе можно будет устанавливать в непосредственной близости от двигателей, охладителей и других горячих компонентов техники. Это должно улучшить системы управления различными энергетическими и двигательными установками.

НАПИСАТИ ВІДПОВІДЬ

Коментуйте, будь-ласка!
Будь ласка введіть ваше ім'я