UltraRAM — оперативная память, заменяющая SSD и HDD

UltraRAM обеспечивает время хранения данных не менее 1000 лет и тратит на порядки меньше энергии, чем DRAM и флеш-память.

Исследователи из Университета Ланкастера в Великобритании опубликовали статью, описывающую путь к массовому производству UltraRAM. Это многообещающая новая технология памяти, которая объединяет в себе скорость и долговечность оперативной памяти и способность хранить данные при отсутствии энергии.

Современный компьютер вынужден использовать три типа памяти. Первый тип-это кэш всех уровней в процессоре. Кэш выполнен на основе статической памяти (SRAM) и имеет чрезвычайно высокую скорость работы, но он очень дорогой и имеет небольшую емкость. Даже топовые процессоры имеют всего лишь несколько десятков мегабайтов кэша.

Оперативная память DRAM является вторым типом. Она дешевая, а потому гигабайты такой памяти стоят приемлемых денег. Но она в десятки раз медленнее SRAM.

Недостатком SRAM и DRAM является их зависимость от энергоснабжения. При исчезновении питания такая память автоматически очищается. Поэтому компьютеры используют третий тип памяти-энергонезависимую память, чаще всего на базе жестких дисков HDD или флеш-накопителей SSD. Однако энергонезависимая память в тысячи раз медленнее SRAM и DRAM. К тому же, флеш-память имеет ограниченный ресурс записи.

Ученые долгое время ищут технологию, которая бы позволила объединить второй и третий типы памяти в одном компоненте. Однако ни резистивная, ни магниторезистивная, ни память с изменением фазы не смогли оправдать своих обещаний. Также не оправдала ожиданий память Intel Optane.

UltraRAM обеспечивает время хранения данных не менее 1000 лет и тратит на порядки меньше энергии, чем DRAM и флеш-память.

«Память, которая является быстрой и энергонезависимой, с высокой выносливостью и переключением логических состояний с низким энергопотреблением, то есть так называемая универсальная память, долгое время считалась недостижимой из — за явно противоречивых физических свойств, которые потребуются такому устройству», — объясняют разработчики.

UltraRAM использует квантовые ямы InAs (QWS) и барьеры AlSb для создания структуры резонансного туннелирования с тройным барьером (TBRT).

Авторы статьи говорят, что уже ведется работа по дальнейшему совершенствованию процесса изготовления и внесения различных других улучшений, которые повысят вероятность того, что UltraRAM сможет выйти на рынок по конкурентоспособной цене, стимулируя быстрое и широкое внедрение.

НАПИСАТИ ВІДПОВІДЬ

Коментуйте, будь-ласка!
Будь ласка введіть ваше ім'я